特許

J-GLOBAL ID：200903045848722668

放電ランプアークチューブおよび同アークチューブの製造方法

発明者： 福代 毅史 ,  入澤 伸一 ,  大川井 信雄
出願人/特許権者： 株式会社小糸製作所
代理人 (1件)： 八木 秀人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-182958
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027574
出願日： 1996年07月12日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】 ピンチシール部内で箔浮き現象の生じない放電ランプアークチューブの提供。【解決手段】 電極棒6とモリブデン箔7とリード線8が直列に接続一体化された電極アッシーAがガラス管Wのそれぞれの開口端から挿入され、ガラス管のモリブデン箔7を含む領域がピンチシールされて、発光物質等を封入した密閉ガラス球12内に電極が対設された放電ランプアークチューブにおいて、ピンチシール部13に封着されたモリブデン箔7の表面に酸化膜を形成するように構成し、モリブデン層とガラス層間に形成されたMo-O-Si系中間層が、モリブデン箔7とガラスを強固に接着する接着層として機能するとともに、モリブデンとガラスの線膨張係数の差に起因して生じる熱応力等の種々の応力を吸収低減するので、箔浮きがなく、長期安定した放電が保証される。

請求項（抜粋）：

電極棒とモリブデン箔とリード線が直列に接続一体化された電極アッシーがガラス管のそれぞれの開口端から挿入され、ガラス管のモリブデン箔を含む領域がピンチシールされて、発光物質等を封入した密閉ガラス球内に電極が対設された放電ランプアークチューブにおいて、前記ピンチシール部に封着されたモリブデン箔の表面に酸化膜が形成されたことを特徴とする放電ランプアークチューブ。

IPC (3件)：

H01J 61/36 ,  H01J 9/28 ,  H01J 9/32

FI (3件)：

H01J 61/36 B ,  H01J 9/28 B ,  H01J 9/32 D