デュアルダマシンプロセスにおける低誘電率エッチストップ層

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：社本一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-522585
公開番号（公開出願番号）：特表2003-509847
出願日： 2000年09月08日
公開日（公表日）： 2003年03月11日
要約：

【要約】本発明は、集積回路デバイスのなどのマイクロエレクトロニクスデバイスを提供する。かかるデバイスは、異なる低い誘電率のインターメタル誘電体を用いたビア、相互連結メタライゼイション及び配線ラインを有する。有機及び無機低k誘電体の両方の使用は、2種類の誘電体の有意に異なるプラズマエッチ特性のため利点を与える。一方の誘電体は他方の誘電体をエッチングする際のエッチストップとして寄与し、追加のエッチストップ層を全く必要としない。基板とその基板上に配置された第一の誘電性材料の層とを有するマイクロエレクトロニクスデバイスを形成する。第二の誘電性材料の層をその第一誘電体層上に配置し、第一誘電性材料の追加の層をその第二誘電性材料上に配置する。少なくとも一つのビアが第一誘電性材料層及び第二誘電性材料層から伸び、少なくとも一つのトレンチが第一誘電性材料を通してビアに伸びる。

請求項（抜粋）：

(a)基板; (b)該基板の上に配置される第一の誘電性材料の層; (c)該第一誘電性材料の上に配置される第二の誘電性材料の層であって、該第一誘電性材料及び該第二誘電性材料は実質的に異なるエッチング抵抗特性を有しており; (d)該第二誘電性材料の上に配置される該第一誘電性材料の追加の層; (e)該第一誘電性材料及び該第二誘電性材料を通して伸びる少なくとも一つのビア、及び該第一誘電性材料を通して少なくとも一つのビアに伸びる少なくとも一つのトレンチ; (f)該トレンチの内壁及び床並びに該ビアの内壁及び床を覆うバリアメタルのライニング; (g)該バリアメタルのライニングと接触して該トレンチ及びビアを充填するフィルメタルを含むマイクロエレクトロニクスデバイス。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/90 A , H01L 21/302 J

Fターム (56件)：

5F004EA28 , 5F004EB03 , 5F004EB05 , 5F033GG00 , 5F033GG01 , 5F033GG02 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ09 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP14 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033QQ01 , 5F033QQ09 , 5F033QQ12 , 5F033QQ25 , 5F033QQ35 , 5F033QQ74 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR23 , 5F033RR25 , 5F033SS21 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033XX24

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