金属薄膜の形成方法および金属薄膜の形成装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：則近憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-237054
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094425
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【構成】単一の原料ガスを流すための、少なくとも2つ以上のガスの吹き出し口8.11を具備した真空槽1内に基板7を載置し、所望の基板温度に基板7を加熱した後、各々の原料ガスを供給するタイミングを制御して、一時には単一の原料ガスしか基板7に供給しないようにして各原料ガスを真空槽1内に導入し、基板7の表面に供給して、薄膜を形成する。【効果】基板表面に吸着した原料ガスを完全に表面反応で消費してから次の原料ガスを供給するというシーケンスを繰り返して薄膜を形成するために、不純物の取り込みの少ない良質な薄膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

金属原子を含む化合物ガスと該金属原子を還元する還元ガスとを基板が載置された反応容器に供給して、化学的気相成長法で基板上に前記金属原子からなる金属薄膜を形成する方法であって、前記化合物ガスを供給と停止とを交互に繰り返して断続的に供給するとともに、前記化合物ガスの停止時に前記還元ガスを供給することを特徴とする金属薄膜の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/46 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28

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