特許
J-GLOBAL ID：200903045856580651
セラミツクスへの電極形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-245598
公開番号（公開出願番号）：特開平5-101972
出願日： 1991年09月25日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 セラミックス基板へ、予め有機金属層を形成した後、該有機金属を塩化パラジウムによりセラミックス表面を活性化し、然る後、無電解メッキ法により電極を形成する。然る後、これら基板を加熱処理することにより、電極とセラミックスとの密着性を改良させ、結果的に優れた電気的特性を有するセラミックス電子部品を提供する。【構成】 セラミックス基板表面に予め有機金属を主体とする層を設け、その後に無電解メッキ法により電極を形成した後、該基板全体を加熱処理を行う。
請求項（抜粋）：
セラミックス基板表面に有機金属層を形成し、前記有機金属層表面を塩化パラジウムによる活性化処理し、前記有機金属層上に無電解メッキ法により所望の電極を形成し、その後に加熱処理を行った事を特徴とするセラミックスへの電極形成方法。
IPC (4件)：
H01G 4/12 430
, C04B 41/90
, C23C 18/32
, C23C 18/38
