特許
J-GLOBAL ID：200903045856979864
半導体結晶成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-011243
公開番号（公開出願番号）：特開平5-194100
出願日： 1992年01月24日
公開日（公表日）： 1993年08月03日
要約：
【要約】【目的】 成長台上で半導体結晶を成長させる際に基板の反りを除去して均一に結晶を成長させる。【構成】 半導体基板を吸着する機構として成長台9の半導体基板を支持する面およびこの支持面と対抗する面との間に貫通して吸着穴17を設ける。
請求項（抜粋）：
半導体基板を吸着する機構を具備することを特徴とする半導体基板を支持する成長台。
IPC (4件)：
C30B 35/00
, C30B 23/02
, C30B 25/02
, C30B 25/12
