特許
J-GLOBAL ID：200903045860510048
積層構造セラミックス素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西澤 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-143452
公開番号（公開出願番号）：特開平5-314845
出願日： 1992年05月09日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 多大の設備費を必要とすることなく、目視により、内部電極の位置を検出しやすくして、内部電極の位置に合わせて個々の素子を切り出すことを可能にし、内部電極の位置ずれを防止して積層構造セラミックス素子の特性のばらつきを減少させる。【構成】 複数のセラミックスグリーンシート3の間に内部電極2が配設された未焼成の積層成形体1を、その切断端面1aが、主面1cと直角の面に対して適当な傾斜を持つように斜めに切断し、切断端面1aから内部電極2を露出させる工程と、切断端面1aから露出した内部電極2を目視することにより積層成形体1中に配設された内部電極2の位置を検出する工程と、積層成形体1を所定の位置でカットして個々の積層構造セラミックス素子を切り出す工程とを備える。
請求項（抜粋）：
内部電極を有する積層構造セラミックス素子の製造方法において、複数のセラミックスグリーンシートの間に内部電極が配設された未焼成の積層成形体を、その切断端面が、主面と直角の面に対して適当な傾斜を持つように斜めに切断して切断端面から内部電極を露出させる工程と、切断端面から露出した内部電極を目視することにより積層成形体中に配設された内部電極の位置を検出する工程と、積層成形体を所定の位置でカットして個々の積層構造セラミックス素子を切り出す工程とを具備することを特徴とする積層構造セラミックス素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01B 19/00 321
, H01B 17/64
, H01G 4/12 364
