特許
J-GLOBAL ID：200903045861258075
薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-118501
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291295
出願日： 1992年04月13日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 素子分離用のフォトレジスト膜を剥離する際に、ポリシリコン膜の表面がダメージを受けないようにする。【構成】 基板1の上面に形成したポリシリコン膜2の上面に、熱酸化またはCVDによる堆積により、酸化シリコンからなる保護膜3を形成する。次に、保護膜3の上面にフォトレジスト膜4をパターン形成し、このフォトレジスト膜4をマスクとしてドライエッチングすることにより、保護膜3およびポリシリコン膜2を素子分離する。次に、フォトレジスト膜4をプラズマエッチングにより剥離する。この場合、ポリシリコン膜2の表面は保護膜3によって被覆されているので、ポリシリコン膜2の表面がプラズマによってダメージを受けないようにすることができる。なお、ポリシリコン膜2を剥離した後、保護膜3をウェットエッチングにより剥離するが、この場合の洗浄による汚染は問題にならない程度に小さくすることができる。
請求項（抜粋）：
ポリシリコン膜上に該ポリシリコン膜の表面を保護するための酸化シリコンからなる保護膜を形成し、該保護膜上にフォトレジスト膜をパターン形成し、該フォトレジスト膜をマスクとしてドライエッチングすることにより前記保護膜および前記ポリシリコン膜を素子分離し、この後前記フォトレジスト膜をプラズマエッチングにより剥離し、次いで前記保護膜をウェットエッチングにより剥離することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/302
, H01L 27/12
