特許
J-GLOBAL ID：200903045865587375
レベルシフト回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-202283
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070247
出願日： 1994年08月26日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：
【要約】【目的】 パターン面積を縮小し、かつ製造工程を削減したLCDドライバー用のレベルシフト回路を提供する。【構成】 低電圧系(3V)から高電圧系への変換を行うレベルシフト回路において、入力信号を受ける高耐圧MOSトランジスタM3,M4のゲート酸化膜厚(tox2)をクロス接続された高耐圧MOSトランジスタM1,M2のゲート酸化膜(tox1)より、薄く形成する。
請求項（抜粋）：
ゲートとドレインを相互にクロス接続した一導電チャネル型MOSトランジスタM1,M2と、MOSトランジスタM1,M2のソースに供給された高電源Vddと、MOSトランジスタM1,M2のドレインと接地電源Vssとの間に接続された逆導電チャネル型MOSトランジスタM3,M4と、MOSトランジスタM3,M4のゲートにそれぞれ入力された信号φおよび反転信号*φとを有し、MOSトランジスタM2,M4の接続点からレベルシフトされた信号を出力するレベルシフト回路において、前記MOSトランジスタM1,M2,M3,M4を高耐圧型で形成し、反転信号*φを発生させるインバータを構成するMOSトランジスタM5,M6を通常耐圧型で形成するとともに、MOSトランジスタM3,M4のゲート酸化膜厚(tox2)をMOSトランジスタM1,M2のゲート酸化膜厚(tox1)より薄くしたこと(tox2<tox1)を特徴とするレベルシフト回路。
IPC (4件)：
H03K 19/0185
, G02F 1/133 520
, G02F 1/1345
, H01L 29/78
H03K 19/00 101 E
, H01L 29/78 656 C
