特許

J-GLOBAL ID：200903045866436133

半導体集積回路装置

発明者： 浅井 昭喜 ,  榊原 純
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-221810
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064198
出願日： 1995年08月30日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】本発明は、電源端子と接地端子間にダイオードを挿入することにより、電源端子に印加されたサージ電圧を接地端子へ放散させる経路を設けて、内部回路の破壊を防止することを特徴とする。【解決手段】半導体基板14上に埋込み絶縁膜15を介してSOI層16a、16b、16cが形成されている。そして、該SOI層16a、16b、16cに、半導体集積回路としてnMOS22a、pMOS22b及びnMOS30が構成される。このnMOS30は、保護抵抗31と共に保護回路13を構成する。更に、半導体基板14内にn型拡散層34及びp型拡散層36が形成される。上記半導体集積回路は、配線25a〜25mにより、接地端子27、直流電源入力端子28、出力端子29、信号入力端子37と接続される。そして、n型拡散層34と半導体基板14間のpn接合により、ダイオード35が構成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁体層を介して設けられた半導体層に半導体回路素子を形成して成る半導体集積回路と、この半導体集積回路に接続された電源端子と、上記半導体集積回路に接続された接地端子と、上記半導体集積回路に接続されて外部との信号の入力若しくは出力が行われる外部接続端子と、この外部接続端子と上記接地端子との間に接続されて上記半導体集積回路を保護する第1の保護回路とを備える半導体集積回路装置に於いて、上記電源端子と上記接地端子間に接続されて上記半導体集積回路を保護する第2の保護回路を具備することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (10件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786

FI (9件)：

H01L 27/08 321 H ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 27/12 K ,  H01L 27/04 D ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/06 101 P ,  H01L 27/08 102 F ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 29/78 623 A