特許
J-GLOBAL ID:200903045868456506

半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山下 穣平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-072356
公開番号(公開出願番号):特開2002-368235
出願日: 2002年03月15日
公開日(公表日): 2002年12月20日
要約:
【要約】【課題】 ダイシング時にレンズの面形状が変化することなく効率よく撮像モジュールなどの半導体装置を製造できるようにする。【解決手段】 受光素子が形成された第1の基板と、前記受光素子へ光を集める光学素子或いは光学素子集合体である第2の基板とをスペーサを介して貼り合わせた半導体装置において、前記スペーサは、前記第2の基板の切断後の端部に配されている。製造方法は、第1の基板と第2の基板とをスペーサを介して貼り合わせる工程と前記第1及び第2の基板を前記スペーサが配された領域で切断する工程とを含む。
請求項(抜粋):
受光素子が形成された第1の基板と、前記受光素子へ光を集める光学素子或いは光学素子集合体である第2の基板とをスペーサを介して貼り合わせた半導体装置において、前記スペーサは、前記第2の基板の切断後の端部に配されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 31/0232 ,  H01L 27/14
FI (2件):
H01L 31/02 D ,  H01L 27/14 D
Fターム (14件):
4M118AB01 ,  4M118GB01 ,  4M118GC11 ,  4M118GD04 ,  4M118HA02 ,  4M118HA23 ,  5F088AA01 ,  5F088BA16 ,  5F088BA18 ,  5F088BB03 ,  5F088CB17 ,  5F088EA04 ,  5F088GA04 ,  5F088JA12

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