半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹村壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-333890
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172218
出願日： 1994年12月15日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：

【要約】【目的】素子の動作電圧を低くさせた半導体発光素子を提供し、また、素子の動作電圧を低くすると共に不良品の発生を少なくしてその歩留まりを向上させた半導体発光素子を提供する。【構成】半導体発光素子は、半導体基板1と、前記半導体基板上に形成された複数の半導体層から構成された発光層30と、前記発光層の上に形成された電流拡散層と、前記電流拡散層の上に形成された光取り出し電極7とを備えている。この電流拡散層を構成する複数層の半導体層は、Alを含むGaAlAs系化合物半導体からなり、発光層側の半導体層10のAl混晶比は光取り出し電極側の半導体層11のAl混晶比より小さい。GaAlAs系電流拡散層の発光層のクラッド層側のAl混晶比を低くし、その上にAl混晶比を高くした層を形成することによって電流拡散層の抵抗が小さくなり動作電圧が低下する。Al混晶比を低くすると結晶成長後の面状態が良くなるので、異常成長の発生も著しく少なくなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成された複数の半導体層から構成された発光層と、前記発光層の上に形成された電流拡散層と、前記電流拡散層の上に形成された光取り出し電極とを備え、前記電流拡散層を構成する複数層の半導体層は、Alを含むGaAlAs系化合物半導体からなり、前記発光層側の半導体層のAl混晶比は前記光り取り出し電極側の半導体層のAl混晶比より小さいことを特徴とする半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (5件)

面発光型発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-140025 出願人：大同特殊鋼株式会社
特開平4-229665
特開昭52-104091

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