半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-270561
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283416
出願日： 1994年10月07日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】ガラス基板上に形成した薄膜トランジスタに接続された電極に対し酸化膜を形成するために陽極酸化工程を行なう場合の、酸による溶解によって発生する基板裏面の腐食を防止する構成を提供する。【構成】基板の薄膜トランジスタを有する面および他方の面に絶縁膜からなる保護膜を設ける。

請求項（抜粋）：

基板上に薄膜トランジスタと、前記基板の薄膜トランジスタが設けられている面および他方の面に絶縁膜からなる保護膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 29/78 311 X , H01L 29/78 311 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

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