特許
J-GLOBAL ID：200903045876982152
クロム膜製電極の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 静男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-060498
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275827
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】 耐薬品性に優れ、かつ側面が基板内で実質的に一様なテーパー状をなしたゲート電極を容易に形成するのに好適なクロム膜製電極の形成方法を提供する。【構成】 本発明のクロム膜製電極4bの形成方法は、基板1上に、窒素,炭素,及びフッ素からなる群より選択される少なくとも1種の元素を含有するクロム膜4であって、下層部よりも上層部の方がエッチング速度が速くなるように前記元素の含有率を厚さ方向に変化させたクロム膜4を成膜する工程と、前記クロム膜4上に所定のレジストパターン5aを形成する工程と、前記レジストパターン5aに沿って前記クロム膜4を所定のエッチング液によりエッチングすることによりこのクロム膜4の側面を厚さ方向に対して外側に傾斜させて、前記クロム膜4の側面を、基板表面に対してなす角度が鋭角となるようなテーパー状に成形する工程とを含むことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に、窒素,炭素,及びフッ素からなる群より選択される少なくとも1種の元素を含有するクロム膜であって、下層部よりも上層部の方がエッチング速度が速くなるように前記元素の含有率を厚さ方向に変化させたクロム膜を成膜する工程と、前記クロム膜上に所定のレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンに沿って前記クロム膜を所定のエッチング液によりエッチングすることによりこのクロム膜の側面を厚さ方向に対して外側に傾斜させて、前記クロム膜の側面を、基板表面に対してなす角度が鋭角となるようなテーパー状に成形する工程とを含むことを特徴とするクロム膜製電極の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, H01L 21/28 301
, H01L 29/40
