特許
J-GLOBAL ID：200903045877321761
液相エピタキシャル成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-086942
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291157
出願日： 1992年04月08日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 基板立て置き型液相エピタキシャル成長装置を用いて液相エピタキシャル成長を行う場合に、貫通孔(成長室)内の位置による成長速度ばらつきを低減して成長層の厚さを均一化する。【構成】 融液を溜めるメルト溜が形成された上部部材とこの上部部材の底面と平行に下方に設けられた下部部材との間に、鉛直方向に形成された貫通孔5を有するスライドボート2を配置する。貫通孔5内に、半導体基板11を鉛直方向に立てた状態で水平方向に複数並べて保持する支持具50を設ける。貫通孔5の内壁5a,5b′,5c,5d′のうち半導体基板11が並ぶ方向に沿った部分5b′,5d′を、この孔の外側に向かって凸に湾曲させる。
請求項（抜粋）：
融液を溜めるメルト溜が形成された上部部材とこの上部部材の底面と平行に下方に設けられた下部部材との間に、鉛直方向に形成された貫通孔を有するスライドボートを配置し、上記貫通孔内に、半導体基板を鉛直方向に立てた状態で水平方向に複数並べて保持する支持具を設けて、結晶成長時に、上記スライドボートを一方向に摺動させて、上記貫通孔の上部と上記上部部材のメルト溜の底部に設けた開口とを連通させて上記融液を上記貫通孔内に導入して、上記支持具に保持された半導体基板に結晶をエピタキシャル成長させるようにした液相エピタキシャル成長装置において、上記貫通孔の内壁のうち上記半導体基板が並ぶ方向に沿った部分は、この孔の外側に向かって凸に湾曲していることを特徴とする液相エピタキシャル成長装置。
IPC (2件)：
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