放熱用基板およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-005826
公開番号（公開出願番号）：特開平11-277217
出願日： 1999年01月12日
公開日（公表日）： 1999年10月12日
要約：

【要約】【課題】高熱伝導率かつ低熱膨張率であって熱歪みの少ない放熱用基板を提供する。【解決手段】 SiC粉末等の熱膨張抑制材から成形した多孔質体を鋳造キャビティ内に配置した後、該キャビティ内に初期温度750°C以下の母材溶湯を低速層流充填する。次いで、10MPa〜100MPaの溶湯圧力下で30秒以内に凝固を完了させ、引き続き400°C以上凝固温度以下に設定された熱処理開始温度から少なくとも200°Cに到達するまで、10〜60°C/hrの冷却速度にて徐冷焼鈍処理を行う。これにより、熱膨張係数が互いに異なる内部層および表面層における熱応力を十分に除去し、かつ湯流れ性向上等のために添加する合金成分を十分に析出させている。

請求項（抜粋）：

アルミニウム若しくはアルミニウム合金からなる母材よりも熱膨張係数の低い熱膨張抑制材から成形した多孔質体に前記母材を溶浸させてなる放熱用基板であって、前記母材と前記熱膨張抑制材との界面および前記母材内部における熱応力が十分に除去されてなることを特徴とする放熱用基板。

IPC (14件)：

B22D 19/00 , C22C 1/09 , C22C 1/10 , C22C 21/00 , C22C 32/00 , C22F 1/04 , H01L 23/373 , C22F 1/00 627 , C22F 1/00 651 , C22F 1/00 681 , C22F 1/00 682 , C22F 1/00 691 , C22F 1/00 692 , C22F 1/00

FI (15件)：

B22D 19/00 E , C22C 1/09 K , C22C 1/09 Q , C22C 1/10 G , C22C 21/00 E , C22C 32/00 Q , C22F 1/04 A , C22F 1/00 627 , C22F 1/00 651 Z , C22F 1/00 681 , C22F 1/00 682 , C22F 1/00 691 B , C22F 1/00 692 A , C22F 1/00 692 B , H01L 23/36 M

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