特許

J-GLOBAL ID：200903045877453315

半導体装置の作製方法

発明者： 竹村 保彦 ,  安達 広樹
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-004755
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297623
出願日： 1993年08月20日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体装置の新規な作製方法を提供する。【解決手段】 絶縁基板上に非単結晶半導体膜を形成する工程と、前記非単結晶半導体膜を結晶化させる工程と、前記結晶化された非単結晶半導体膜の一部を加圧雰囲気で酸化させる工程と、を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に非単結晶半導体膜を形成する工程と、前記非単結晶半導体膜を結晶化させる工程と、前記結晶化された非単結晶半導体膜の一部を加圧雰囲気で酸化させる工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/762 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/76 D ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭57-208124
  
• 特開平2-140915