特許

J-GLOBAL ID：200903045877466956

オプトエレクトロニクス変換器

発明者： ウエルナー シユペート ,  ウオルフガング グラマン ,  ゲオルク ボーグナー ,  ラルフ デイートリツヒ
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-073218
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264843
出願日： 1996年03月04日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【課題】 オプトエレクトロニクス変換器は基板1上に取り付けられているビームを発信あるいは受信する半導体デバイス6を有し、基板1上にレンズ装置8を支持するスペーサ7が配置されている。このオプトエレクトロニクス変換器を、温度変化が半導体デバイス6とレンズ装置8との間の調節にほとんど影響を与えないようにする。【解決手段】 基板1、スペーサ7およびレンズ装置8が、熱膨張係数がほぼ同じである材料例えばシリコンおよびガラスから成っている。多数の変換器が複合体として同時に製造され、それから個々の変換器に細分化される。

請求項（抜粋）：

ビームを発信あるいは受信する半導体デバイス(6)が取り付けられている基板(1)と、半導体デバイスに光学的に整列されたレンズ装置(8)に対する基板に結合されたスペーサ(7)とを有するオプトエレクトロニクス変換器において、基板(1)、スペーサ(7)およびレンズ装置(8)が熱膨張係数が少なくとも近似している材料から成っていることを特徴とするオプトエレクトロニクス変換器。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 31/0232

FI (3件)：

H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 M ,  H01L 31/02 D

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 画像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-221275   出願人：京セラ株式会社