導電性ターゲットから基板をコーティングする装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-291677
公開番号（公開出願番号）：特開平9-170078
出願日： 1996年11月01日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】スパッタプロセスの長時間安定性及び成膜速度を高めるだけでなく、高いターゲット利用度及び均一性を保証する。【解決手段】交流電源を2つの陰極に接続し、2つのマグネトロン陰極を真空室の中の仕切空間の中に設け、2つの仕切空間を第3の仕切空間に接続し、第3の仕切空間の中に、スパッタターゲットを有するダイオード陰極を設け、ダイオード陰極を直流給電装置に接続し、ダイオード陰極と基板との間の空間の中にガス導管からガスが流出するように開口させ、プロセスガスをこの空間の中にダイオード陰極と基板との間で流入する。

請求項（抜粋）：

交流電源(19)を具備し、前記交流電源(19)を2つのマグネトロン陰極(13,14)に接続し、前記マグネトロン陰極(13,14)は電気的にターゲット(15,16)と共働して、導電性ターゲット(6)から基板(3)をコーティングする装置において、前記交流電源(19)の一方の極(20)を一方の前記陰極(13)に給電線(22)を介して接続し、他方の極(21)を他方の前記陰極(14)に給電線(23)を介して接続し、2つの前記マグネトロン陰極(13,14)のそれぞれを、真空室(2)の中のそれぞれ1つの固有の仕切空間(11,12)の中に設け、2つの前記仕切空間(11,12)を、それぞれの仕切空間(11,12)の分離壁の中の間隙(33,34)又は開口を介して第3の仕切空間(1)又は領域(35)に第3の前記仕切空間(1)の直接前で接続し、第3の前記仕切空間(1)の中に、スパッタターゲット(6)を有するダイオード陰極(7)を設け、前記ダイオード陰極(7)を導線(9)を介して1つの固有の直流給電装置(8)に接続し、前記ダイオード陰極(7)と前記ダイオード陰極(7)に対向して位置する前記基板(3)との間の空間(28)の中にガス導管(24,25)からガスが流出するように開口させ、前記ガス導管(24,25)を介してプロセスガスを前記空間(28)の中に前記ダイオード陰極(7)のターゲット(6)と前記基板(3)との間で流入可能にしたことを特徴とする導電性ターゲットから基板をコーティングする装置。

IPC (4件)：

C23C 14/34 , C23C 14/40 , C23C 14/56 , H01J 37/34

FI (5件)：

C23C 14/34 M , C23C 14/34 C , C23C 14/40 , C23C 14/56 E , H01J 37/34

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-141582
特開平2-159370
特開平1-158644

全件表示

前のページに戻る