特許
J-GLOBAL ID：200903045883330373
半導体ウエハの評価方法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-074247
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270516
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 高精度にライフタイムを測定することが可能な半導体ウエハの評価方法及びその実施に使用する装置を提供すること。【解決手段】 試料保持台1にウエハ2を載置し、電極3,6間に所定の電圧を印加する。これにより、ウエハ2の表面には、少数キャリアが表面側へ移動する電界が発生し、表面近傍領域に少数キャリアが蓄積される。試料支持台1,凹部4a,o-リング5にて囲まれた空間へ、表面再結合速度が大きい自然酸化膜の形成を防止するための所定のガスをガス供給管11にて供給する。この状態で、窒素・色素レーザ13からレーザ光を発し、蓄積された少数キャリアに依存する、ウエハ2からのルミネッセンス光を分光器16を経て光電子増倍管17で受光する。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハに光を照射することにより放射されるルミネッセンス光を受光し、その分光に基づいて半導体ウエハを評価する方法において、半導体ウエハの表面に所定の電界を印加し、この状態で半導体ウエハに光を照射することを特徴とする半導体ウエハの評価方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/66 M
, G01N 21/64 Z
