電磁放射検出器、該検出器を用いた高感度ピクセル構造、及び該検出器の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-067575
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031839
出願日： 1998年02月09日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【課題】半導体中で放射により形成された電荷キャリアのすべてがコレクティング接合又は領域中に集められ、読み出し回路の接合又は領域には集められない電磁放射検知用の半導体デバイスを提供する。【解決手段】半導体中の放射検知体積と、読み出し回路を備えた領域又は接合との間に、小さいが有効なバリアを備え、半導体基板と、該半導体基板への放射により生成された電荷キャリアを集めるために設けられた領域又は接合との間に、バリアを備えないか、又は低いバリアを備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板を含む電磁放射用検出器であって、上記基板が、第1の領域と、第2の領域とを含み、上記第1の領域及び第2の領域が、上記放射により基板中で形成された電荷キャリアを集めるために設けられ、更に、上記基板が、上記電荷キャリアが上記第2の領域に拡散するのを十分に妨げるバリアを形成する第3の領域とを含みことを特徴とする電磁放射検出器。

IPC (3件)：

H01L 31/09 , G01R 29/08 , H01L 27/14

FI (3件)：

H01L 31/00 A , G01R 29/08 F , H01L 27/14 K

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭59-092562
固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-079288 出願人：日本電気株式会社
特開昭64-020654

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