半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早瀬憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-335048
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163711
出願日： 1992年11月20日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】装置の製造に用いるリソグラフィー技術の制約を受けることなく、配線の配置密度を高め、上記リソグラフィー技術により実現可能な配線密度より高密度な配線構造を有する集積度の高い半導体装置101を安価に得る。【構成】多層配線構造を有する半導体装置101において、所定パターンを有する第1の配線層9を、そのパターン開口9bの側面上に配線層側壁11を有する構造とし、上記第1の配線層9のパターン開口9bの内側に、上記配線層側壁11により自己整合的にパターン幅が規定された配線部分12aを第2の配線層12の一部として配置した。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された多層配線構造を有する半導体装置において、第1の導電性膜をパターニングしてなり、その側面上に絶縁性側壁を有する所定パターンの第1の配線層と、上記第1の配線層のパターン開口の内側に配置され、上記絶縁性側壁により自己整合的にパターン幅が規定された、第2の導電性膜からなる第2の配線層とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/90 , H01L 21/027 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/30 341 P , H01L 21/88 M

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