特許
J-GLOBAL ID：200903045897024682
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-328331
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183410
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】 周辺回路トランジスタの特性を向上させるとともにメモリセルサイズを大きくせずにゲート酸化膜の劣化を抑制する。【構成】 周辺回路トランジスタの活性領域にリング状ゲート電極7aを形成するとともに、リング状ゲート電極7aの外側にソース領域4、内側にドレイン領域5を形成する。また、第2導電型の埋込層(ボトムn層207)が、フローティングゲートへの電子の注入が消去動作となる半導体記憶装置において、基板ホットエレクトロン注入のための注入層となる。
請求項（抜粋）：
周辺回路領域を有する不揮発性半導体記憶装置であって、前記周辺回路領域は、主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主表面上の所定領域に形成された素子分離酸化膜と、前記素子分離酸化膜下に形成されたウェル領域と、前記素子分離酸化膜によって囲まれた活性領域上にゲート絶縁膜を介してリング状に形成されたゲート電極と、前記活性領域の前記ゲート電極の外側に位置する領域に形成された第1のソース/ドレイン領域と、前記活性領域の前記ゲート電極の内側に位置する領域に形成された第2のソース/ドレイン領域とを備えた、不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
