特許
J-GLOBAL ID：200903045905844163
電界効果型トランジスタおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-203670
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177380
出願日： 1992年07月30日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：
【要約】【目的】 有機半導体を半導体層とする電界効果トランジスタのキャリヤ移動度を向上させる。【構成】 ガラス基板1上にゲート電極2を形成し、その上に絶縁膜3として酸化シリコン膜を形成する。限外ろ過等で分子量制御を行い、数平均分子量を60000としたポリ(3-オクキルチオフェン)のクロロフォルム溶液をスピンコートし半導体層6を形成する。その上にソース・ドレイン4、5となる金電極を形成する。キャリア移動度は2.2×10- 5 cm- 2 /V・secであった。
請求項（抜粋）：
半導体層が有機高分子半導体からなる電界効果型トランジスタにおいて、有機高分子半導体の数平均分子量が50,000以上に制御したものであることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, H01L 29/28
, H01L 29/46
