特許
J-GLOBAL ID：200903045911051981
単一チャンバー内で多層CVDを行なう方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-008707
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283430
出願日： 1994年01月28日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 膜の品質や堆積速度を犠牲にしないで、同一の反応チャンバー内で効率的な方法により基板上に連続的に多層の薄膜を堆積すること。【構成】 薄膜状トランジスタを形成するために行なうガラス基板14上の多層の薄膜の堆積は、同一のチャンバー内で、同一の反応条件の下で高堆積速度で実施することができる。本発明者等は、シリコン窒化物の薄層を少なくとも0.5Torr及び、約250〜370°Cの温度を用いる化学気相成長により同一のチャンバー内で連続的に堆積できることを見出した。つづいて堆積された別の薄膜は、単一の多数チャンバー真空システムの一部である分離されている複数の化学気相成長チャンバー内で堆積することができる。
請求項（抜粋）：
化学気相成長チャンバ内で、基板上にパターン化されたゲート層の上にゲート絶縁層を堆積する工程と、前記ゲート絶縁層の上にアモルファスシリコン薄膜を約150〜370°Cの温度、少なくとも約0.5Torrの圧力、及び両方の堆積のためのガスマニホールドと基板の間の接近した間隙を用いて堆積する工程と、を備えている薄膜トランジスタの製造方法。
引用特許：
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