特許

J-GLOBAL ID：200903045912556114

III族窒化物系化合物半導体素子

発明者： 千代 敏明 ,  伊藤 潤 ,  柴田 直樹
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-007038
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217452
出願日： 2001年01月15日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】 III族窒化物系化合物半導体層の下地層となる金属窒化物の格子定数をIII族窒化物系化合物半導体のそれにより近いものとし、もってIII族窒化物系化合物半導体層の結晶性を向上させる.【解決手段】 (Ti1-xAx)N、但しAはAl、Ga、Inから選ばれる少なくとも1種の金属である、を金属窒化物層として採用し、この金属窒化物層の上にIII族窒化物系化合物半導体層を形成する。十分な厚さの金属窒化物層と基板との間にTi層を形成し、チタン層を除去すれば金属窒化物を基板としたIII族窒化物系化合物半導体素子が得られる。

請求項（抜粋）：

(Ti1-xAx)N、但しAはAl、Ga、Inから選ばれる少なくとも1種の金属である、からなる金属窒化物層と、該金属窒化物層の上に形成されたIII族窒化物系化合物半導体層と、を備えてなるIII族窒化物系化合物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/10 A

Fターム (36件)：

5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CB15 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F049MB01 ,  5F049MB07 ,  5F049NA13 ,  5F049PA04 ,  5F049PA07 ,  5F049QA16 ,  5F049QA18 ,  5F049SS03 ,  5F049SS04

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特許第6493367号