真空処理方法及び真空処理装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-249565
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104178
出願日： 1992年09月18日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】真空排気時間を短縮して基板の処理能力を増大させること、信頼性を向上させて稼働率をあげるとともにメンテナンスの頻度を低減すること、更に発塵を低減し、又不純物ガスの影響を除去することにより高品質の膜がつくれる真空処理方法および真空処理装置を提供することを目的とする。【構成】搬送室にガス導入口を設け、不活性ガスなどを導入・制御できるようにし、又、搬送室に水に対する排気速度が大きいクライオポンプあるいは温度可変の冷凍機付コールドトラップと、ターボ分子ポンプを設ける。【効果】真空排気時間の短縮およびメンテナンス回数低減により、装置稼働率を向上できる。また、不活性ガス等を導入し、その導入量を制御することにより高品質の膜がつくれる真空処理方法および真空処理装置をうることができる。

請求項（抜粋）：

独立した複数の真空処理室、基板を搬送するための搬送室、基板を導入、あるいは搬出するための導入室、搬出室を用いて真空処理する方法において、搬送室を真空排気した後、搬送室に不活性ガスあるいは窒素ガスを導入することを特徴とする真空処理方法。

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