特許
J-GLOBAL ID：200903045916939387
プラズマ処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
金本 哲男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-163710
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074129
出願日： 1996年06月03日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：
【要約】【課題】 静電チャックの残留電荷を除去するにあたり、静電チャック上にデポを付着させない。【解決手段】 上部電極51には高い周波数の、サセプタ6には低い周波数の高周波を各々印加して、静電チャック11上のウエハWに対して所定の処理を行ってウエハWを搬出した後、処理室2内に不活性ガスを導入すると共に、上部電極51とサセプタ6との間のギャップを処理時よりも広くする。前記処理の際の出力よりも小さい出力で上部電極51のみに高い周波数の高周波電力を供給すると、セルフバイアスがかからないプラズマが発生して静電チャック11上の残留電荷は除去される。処理時とは異なった条件のプラズマであるため、静電チャック11上にデポが付着しない。
請求項（抜粋）：
処理室内の上下に上部電極と下部電極とを対向して有し、下部電極上には直流電圧の印加によって発生する静電気力を利用した静電チャックが設けられ、高周波電力の供給によって所定の真空度の下で前記処理室内にプラズマを発生させて前記静電チャック上の被処理体に対して処理を施す如く構成されたプラズマ処理装置において、上部電極と下部電極の各々に高周波電力を供給自在とすると共に、下部電極に供給される高周波電力の周波数は、上部電極に供給される高周波電力の周波数よりも低く設定し、処理ガスを前記処理室内に導入すると共に上部電極と下部電極の各々に前記所定の高周波電力を供給して、所定の真空度の処理室内にプラズマを発生させて被処理体に対して所定の処理を施し、前記処理終了後に前記被処理体を処理室から搬出した後、処理室内に不活性ガス若しくは窒素ガスを導入して処理室内を不活性ガス雰囲気若しくは窒素ガス雰囲気とし、さらに前記上部電極と下部電極との間のギャップを前記処理時よりも広くすると共に、前記処理の際の出力よりも小さい出力で上部電極のみに高周波電力を供給して所定時間プラズマを発生させ、その後次に処理に付すべき被処理体を処理室内に搬入することを特徴とする、プラズマ処理方法。
IPC (7件)：
H01L 21/68
, B23Q 3/15
, C23F 4/00
, H01L 21/3065
, H02N 13/00
, H05H 1/46
, C23C 16/50
H01L 21/68 R
, B23Q 3/15 D
, C23F 4/00 A
, H02N 13/00 D
, H05H 1/46 M
, C23C 16/50
, H01L 21/302 C
