特許

J-GLOBAL ID：200903045917128676

半導体レーザ装置

発明者： 田中 一弘
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-294074
公開番号（公開出願番号）：特開平6-152046
出願日： 1992年11月02日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザ装置に関し、半導体レーザ装置の構造に簡単な改変を加えることで、無駄に放射されていた自然放出光を活性層に戻すことができるようにして閾値電流の低減を実現しようとする。【構成】 基板21と活性層25との間に介挿された屈折率を異にする二種類の半導体膜の組み合わせ、例えばInGaAsP膜及びInP膜を組み合わせからなる繰り返し積層多層膜23と、表面側から少なくとも繰り返し積層多層膜23を越えるように形成されたメサの側面を絶縁膜31を介して覆うと共に頂面を覆う金属からなる光反射膜の役割を果たすp側電極32とを備えてなり、繰り返し積層多層膜23の光学長がレーザ発振波長の短波長側の波長の略四分の一波長に選択され、高光反射膜として作用する。

請求項（抜粋）：

基板と活性層との間に介挿された屈折率を異にする二種類の半導体膜を組み合わせてなる繰り返し積層多層膜と、表面側から少なくとも前記繰り返し積層多層膜を越えるように形成されたメサの側面を絶縁膜を介して覆うと共に頂面を覆う金属からなる光反射膜とを備えてなり、前記繰り返し積層多層膜の光学長がレーザ発振波長の短波長側の波長の略四分の一波長に選択されてなることを特徴とする半導体レーザ装置。