特許
J-GLOBAL ID：200903045921967976
単結晶成長方法および単結晶成長装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 茂夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-116447
公開番号（公開出願番号）：特開平6-305877
出願日： 1993年04月20日
公開日（公表日）： 1994年11月01日
要約：
【要約】【目的】 縦型容器内で単結晶を育成する単結晶成長方法に関し、結晶成長中にリアルタイムで固液界面位置および形状を検出して高品質な結晶を歩留りよく製造する。【構成】 原料融液中に耐熱容器を浸潰し、耐熱容器に収容した電極材を一方の電極端子とし、縦型容器を支持する支持軸を他方の電極端子とし、両電極端子間のインピーダンスを測定してその測定結果から固液界面位置および形状を検出し、検出情報に基づいて縦型容器の下降速度、回転数、温度分布等をフィードバック制御して単結晶の成長速度および固液界面形状を制御する。
請求項（抜粋）：
縦型容器に収容した原料融液を下方から冷却凝固して単結晶を成長させる単結晶成長方法において、前記原料融液中に耐熱容器を浸潰し、前記耐熱容器に収容した電極材を一方の電極端子とし、前記縦型容器を支持する支持軸を他方の電極端子とし、前記両電極端子間のインピーダンスを測定してその測定結果から固液界面位置を検出することを特徴とする単結晶成長方法。
IPC (2件)：
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