赤外線センサおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤島洋一郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-179525
公開番号（公開出願番号）：特開平6-317475
出願日： 1991年07月19日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：

【要約】【目的】複数の赤外線感応部のうち特定の赤外線感応部のみに選択的に赤外線を入射させて正確な作動出力を検出するとともに、センサ全体の小型化を図る。【構成】センサ基板としてのシリコン基板12の両面にはそれぞれ空洞部13が形成されている。シリコン基板12の両表面には、それぞれ空洞部13の上面に2本の架橋部14を有するシリコンオキシナイトライド膜15が形成されている。各架橋部14の中央上部には赤外線感応部16が形成されている。赤外線感応部16はアモルファスゲルマニウム(a-Ge)により形成されている。赤外線感応部16には電極配線層17を介して電極パッド18に接続されている。シリコン基板12の上面の赤外線感応膜16のみに赤外線が入射され、裏面の赤外線感応部16にはシリコン基板12が赤外線遮蔽部材の役割を果たして赤外線が入射されない。

請求項（抜粋）：

半導体材料により形成されたセンサ基板と、このセンサ基板の両面に形成された少なくとも1組の赤外線感応部とを備えたことを特徴とする赤外線センサ。

IPC (2件)：

G01J 5/02 , G01J 1/02

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-136035
特開平2-206733
特開平2-206733

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