特許

J-GLOBAL ID：200903045941532828

半導体薄膜形成用前駆体及び半導体薄膜の製造方法

発明者： 根上 卓之 ,  寺内 正治 ,  西谷 幹彦 ,  和田 隆博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-116164
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316230
出願日： 1995年05月15日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】 生産性に優れ、高いエネルギー変換効率が得られる太陽電池に適した禁制帯幅の分布を有する Ib族、 IIIa族とVIa族元素とからなるカルコパイライト構造半導体薄膜製造に好適な前駆体の製造方法、前記前駆体を用いた半導体薄膜の製造方法を提供する。【構成】 基体7上に Ib族と IIIa族元素を含む酸化物ターゲット2(例えば、Cu-In0.8-Ga0.2-O)をスパッタして膜を堆積した後に、ターゲット2とは組成の異なる酸化物ターゲット3(例えば、Cu-In-O)をスパッタして膜を作製し前駆体を形成する。前駆体をVIa族元素を含む雰囲気中(例えば、H2 SとH2 を含む混合ガス)で熱処理することにより Ib族、 IIIa族とVIa族元素からなるカルコパイライト構造半導体薄膜(Cu(In,Ga)S2 )を製造する。

請求項（抜粋）：

基体上に少なくとも2つ以上の組成の異なる Ib族と IIIa族元素からなる酸化物薄膜を堆積することを特徴とする半導体薄膜形成用前駆体の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/363 ,  H01L 31/04

FI (5件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/31 D ,  H01L 21/363 ,  H01L 31/04 E

引用特許：

審査官引用 (2件)

• カルコパイライト型化合物の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-132754   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-348571