特許

J-GLOBAL ID：200903045943256798

半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： 三木 浩史 ,  藤崎 芳久 ,  福田 琢也 ,  小林 伸好
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-172022
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022470
出願日： 1996年07月02日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】高速の書換えが可能な不揮発性の半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】記憶容量の誘電体層として有機強誘電体、例えば、弗化ビニリデンとトリフルオロエチレンの共重合物42を含む半導体記憶装置。この誘電体層の上下にはバリア酸化膜41、43を介して上部、下部電極26、27がある。この記憶容量は、この記憶容量の配線以外の配線10、11、15、16、17、21、22、23より上部に配置される。

請求項（抜粋）：

記憶容量の誘電体層として有機強誘電体を含むことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (7件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 651 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/78 371