特許

J-GLOBAL ID：200903045953040432

走査型荷電粒子ビ-ム装置

発明者： 山田 貢
出願人/特許権者： 日本電子株式会社
代理人 (1件)： 井島 藤治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-005053
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208084
出願日： 1999年01月12日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 試料表面上に帯電領域が存在していても、像観察を明瞭に行うことができる走査型荷電粒子ビーム装置を実現する。【解決手段】 演算器17によって、2次電子信号の強度を吸収電流の強度に応じて小さくする。このような演算は、例えば、演算器17として加算器を用いることにより達成することができる。この結果、帯電した領域を一次電子ビームで走査しているときは、吸収電流が小さくなり、2次電子検出信号が異常に大きくなるが、この吸収電流の小さな値に応じて2次電子検出信号の強度が減少される。したがって、試料の帯電領域で輝度が異常に高くなり、陰極線管15上での全体の像の観察に支障を来すことは防止される。

請求項（抜粋）：

荷電粒子ビームを試料上に集束するための集束レンズと、試料上の荷電粒子ビームの照射位置を走査するための走査手段と、試料への荷電粒子ビームの照射によって試料表面から放出された信号を検出する検出器と、試料に吸収された電流を増幅する増幅器と、増幅器からの試料の吸収電流信号の強度に応じて検出器からの検出信号の強度を調整する演算器とを備え、演算器において演算された信号に基づいて像の表示を行うようにした走査型荷電粒子ビーム装置。

IPC (2件)：

H01J 37/22 502 ,  H01J 37/244

FI (2件)：

H01J 37/22 502 E ,  H01J 37/244

Fターム (6件)：

5C033NN01 ,  5C033NN02 ,  5C033NP06 ,  5C033NP08 ,  5C033UU04 ,  5C033UU05