特許

J-GLOBAL ID：200903045954026468

ドライエッチング方法および半導体素子

発明者： 山田 篤志 ,  菅原 岳 ,  横川 俊哉
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-026279
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229412
出願日： 2002年02月04日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】 精度の良い窒化ガリウム系化合物半導体のドライエッチングを行うために、窒化ガリウム系化合物半導体のエッチングストップ層の開発が切望されている。【解決手段】 窒化物半導体においてAlを含む層、すなわちAlxGayIn1-x-yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)をエッチングストップ層として用い、かつ少なくとも酸素と塩素とを含むエッチングガスによりエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体においてAlを含む層、すなわちAlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)をエッチングストップ層として用い、かつ少なくとも酸素と塩素とを含むエッチングガスによりエッチングを行うことを特徴とする窒化物半導体のドライエッチング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01S 5/323 610

FI (3件)：

H01S 5/323 610 ,  H01L 21/302 A ,  H01L 29/80 H

Fターム (40件)：

5F004AA01 ,  5F004BD05 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004DA04 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB19 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EA13 ,  5F004EA23 ,  5F004EA28 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA53 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15