特許
J-GLOBAL ID：200903045954064041
レジストパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-193157
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041212
出願日： 1996年07月23日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】 化学増幅型レジストを用いてパターン形成を行う場合、レジストパターン剥離やレジストパターン形成劣化などを防止し、良質なパターンを形成することができるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1上に酸をトラップし易いアモルファスカーボン膜2を薄く形成し、下地基板3とする。次いで、下地基板を酸性物質を含む洗浄液4によって洗浄を行う。酸性薬液洗浄処理後の基板表面に残留した酸性物質をアルカリ性水溶液5により中和させる。この基板に化学増幅型ポジレジストを塗布し、パターニングを行うと基板上には酸性物質が存在していることからレジストパターンは、剥離やパターンボトム部に食い込みを生じてしまう。そこで、酸性薬液洗浄処理後の基板表面に残留した酸性物質をアルカリ性物質により中和させる。その後、リンス液によりリンス処理を行う。洗浄を行った基板は、化学的に中性であるため、良質なレジストパターン7を得ることができる。
請求項（抜粋）：
(a)酸性物質、またはアルカリ性物質による基板洗浄処理工程と、(b)アルカリ性物質、または酸性物質溶液により中和処理を行う工程と、(c)リンス液によりリンス処理を行う工程と、(d)化学増幅型レジストを用いてパターンを形成する工程とを施すことを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, C11D 7/50
, C23F 1/00 102
H01L 21/30 569 C
, C11D 7/50
, C23F 1/00 102
, H01L 21/30 502 R
