特許
J-GLOBAL ID：200903045956183927
ハイブリッド光集積素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-009087
公開番号（公開出願番号）：特開平11-202142
出願日： 1998年01月20日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】 高精度のコアパタンを比較的容易に形成する。【解決手段】 基板としての平坦なp型Siウエハ10に光素子搭載領域14を画成し、この光素子搭載領域14におけるp型Siウエハの上面部に不純物を注入してn型Si層18とする。そして、陽極酸化を行うことにより、Siウエハの上面部をポーラスSi層22に変質させる。このとき、光素子搭載領域にはn型Si層が形成されているのでポーラス化しない。続いて、ポーラスSi層の上にクラッド層24a、コアパタン26aおよび(上部)クラッド層30aを積層して、基板の導波路形成領域16に平面光導波路を形成する。このように、ポーラスSi層をパターニングしたポーラスSiパタン22cがクラッド層24aと共に下部クラッド層を構成する。また、基板の全面に絶縁層34を堆積する。そして、基板の光素子搭載領域にダイスボンディングパッド36を設けて、その上にLD38を搭載する。
請求項（抜粋）：
光素子搭載領域および導波路形成領域が画成された平坦なSi基板と、前記光素子搭載領域に設けられた光素子と、前記導波路形成領域に下部クラッド層、コア部および上部クラッド層を積層して形成した平面光導波路とにより構成されるハイブリッド光集積素子において、前記Si基板の一部がポーラスSi層またはポーラスSi層を変質させて形成した酸化Si層となっており、これらポーラスSi層または酸化シリコン層を前記下部クラッド層の一部として用いていることを特徴とするハイブリッド光集積素子。
IPC (3件)：
G02B 6/122
, G02B 6/13
, G02B 6/42
G02B 6/12 A
, G02B 6/42
, G02B 6/12 M
