誘電体薄膜の形成方法、誘電体薄膜および電子部品

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-360629
公開番号（公開出願番号）：特開2001-172099
出願日： 1999年12月20日
公開日（公表日）： 2001年06月26日
要約：

【要約】【課題】用いる基板の結晶格子間隔や配向方向によらずに所望の結晶配向性を有する誘電体薄膜を得ることができ、かつ誘電体薄膜を一方向にほぼ完全に結晶配向させることが可能なゾル-ゲル法を用いた誘電体薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】金属化合物を含む誘電体前駆体溶液を基板上に塗布して誘電体前駆体層を形成する工程と、誘電体前駆体層を乾燥する工程と、誘電体前駆体層を焼成する工程とを有する、ゾル-ゲル法を用いた誘電体薄膜の形成方法において、前記誘電体前駆体層を乾燥する工程は、誘電体前駆体溶液に含まれる溶媒の沸点よりも高温で、かつ誘電体前駆体層の発熱反応が最大となる温度よりも低温で乾燥処理を行い、前記誘電体前駆体層を焼成する工程は、所定の速度で昇温させながら焼成を行う工程を含むことにより、一定方向への結晶配向性を有する誘電体薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

金属化合物を含む誘電体前駆体溶液を基板上に塗布して誘電体前駆体層を形成する工程と、前記誘電体前駆体層を乾燥する工程と、前記誘電体前駆体層を焼成する工程とを有する、ゾル-ゲル法を用いた誘電体薄膜の形成方法において、前記誘電体前駆体層を乾燥する工程は、前記誘電体前駆体溶液に含まれる溶媒の沸点よりも高温で、かつ誘電体前駆体層の発熱反応が最大となる温度よりも低温で乾燥処理を行い、前記誘電体前駆体層を焼成する工程は、所定の速度で昇温させながら焼成を行う工程を含むことにより、一定方向への結晶配向性を有する誘電体薄膜を形成することを特徴とする誘電体薄膜の形成方法。

IPC (2件)：

C30B 29/32 , C23C 18/12

FI (2件)：

C30B 29/32 A , C23C 18/12

Fターム (12件)：

4G077AA03 , 4G077AA07 , 4G077BC43 , 4G077CA04 , 4K022AA02 , 4K022AA41 , 4K022BA15 , 4K022BA17 , 4K022BA22 , 4K022BA26 , 4K022BA33 , 4K022DA06

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