特許

J-GLOBAL ID：200903045968279385

再生半導体ウェハとその再生方法

発明者： 高田 悟 ,  井上 秀敏 ,  原 宣宏
出願人/特許権者： コウベ プレシジョン インク ,  株式会社神戸製鋼所
代理人 (1件)： 小谷 悦司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-263296
公開番号（公開出願番号）：特開平9-171981
出願日： 1996年10月03日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】 使用済み半導体ウェハを再生するにあたり、ウェハの板厚減少量を最小限にしてウェハを多数回再生することのできる再生方法を提供すると共に、マット面のエッチピットが小さく、従来の再生ウェハと比べて表面粗さが小さい再生半導体ウェハを提供する。【解決手段】 基板表面に形成された表面層を除去する半導体ウェハの再生方法として、砥粒を含有する研磨液を用いると共に、回転するパッドを該半導体ウェハに圧接させて軽度の研磨力を作用させることにより、上記表面層に軽度のマイクロクラックを導入しつつ該表面層を除去する工程と、基板表面を化学的にエッチングする工程を採用する。

請求項（抜粋）：

基板表面に形成された表面層を除去する半導体ウェハの再生方法であって、砥粒を含有する研磨液を用いると共に、回転するパッドを該半導体ウェハに圧接させて軽度の研磨力を作用させることにより、上記表面層に軽度のマイクロクラックを導入しつつ該表面層を除去する工程と、基板表面を化学的にエッチングする工程を有することを特徴とする再生方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/66 Z

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 再生ウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-290019   出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• 特開昭51-019966
  

審査官引用 (1件)

• 特開昭51-019966