特許
J-GLOBAL ID：200903045970679544
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-077699
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283135
出願日： 1994年04月15日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】 高移動度薄膜トランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 絶縁性表面を有する基板上に、結晶性を有するケイ素膜からなる活性領域が形成されている。この活性領域は、第1の非晶質ケイ素膜に結晶化を助長する触媒元素を導入して加熱することにより結晶成長させた針状結晶または柱状結晶を種結晶として、第2の非晶質ケイ素膜を結晶成長させた結晶性ケイ素膜からなり、単結晶に非常に近い結晶性を有する。
請求項（抜粋）：
絶縁性表面を有する基板上に、結晶性を有するケイ素膜からなる活性領域が形成された半導体装置であって、該活性領域は、第1の非晶質ケイ素膜に結晶化を助長する触媒元素を導入して加熱することにより結晶成長させた針状結晶または柱状結晶を種結晶として、第2の非晶質ケイ素膜を結晶成長させたものからなる半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, G02F 1/136 500
, H01L 29/786
, H01L 21/336
