特許

J-GLOBAL ID：200903045977817560

電界効果型トランジスタ

発明者： 水崎 真伸 ,  好本 芳和
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 石田 耕治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-108140
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294571
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：

【課題】本発明は、新たな素子構造によってチャネル長を短くして短チャネル化するとともに、実行的電界移動度を向上させた半導体素子を、低コスト製造プロセスで製造することのできるトランジスタ素子を提供することを目的としている。【課題手段】本発明に係る電界効果型トランジスタ素子は、基板1に、第1電極5、半導体層6、及び、第2電極4が順次積層され、この多層部位の周囲を取り囲むように電気絶縁層3が形成され、該電気絶縁層3の上面に、ゲート電極2が形成されていることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板には、第1電極、半導体層、及び、第2電極が順次積層されており、 この多層部位の周囲を取り囲むように電気絶縁層が形成され、 該電気絶縁層の上面には、ゲート電極が形成されていることを特徴とする 電界効果型トランジスタ素子。

IPC (2件)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (5件)：

H01L29/78 626A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/28

Fターム (52件)：

5F110AA01 ,  5F110AA07 ,  5F110BB01 ,  5F110CC09 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE22 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF35 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG30 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK34 ,  5F110HL07 ,  5F110HL14 ,  5F110HL26 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ01

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-303217   出願人：株式会社リコー
• 薄膜トランジスタ・デバイスの構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-076201   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 有機薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-331398   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド