特許
J-GLOBAL ID：200903045983331652
半導体集積回路装置の出力回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-343841
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196992
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 微細化されたトランジスタの信頼性を損なうことなく、内部の信号振幅より大きい信号を外部に出力できる半導体集積回路装置の出力回路を得る。【構成】 出力端子5に接続されたPMOSトランジスタ23とNMOSトランジスタ24が出力電圧として電源電位VDD2 あるいは接地電位VSSを出力する。電源電位VDD1 あるいは接地電位VSSの入力信号の電位を第1の変換部K2及び第2の変換部K3を用いて変換してPMOSトランジスタ23のゲート電極に与える。第1の変換部K2及び第2の変換部K3は中間電位発生回路の発生する電位及び電源電位VDD1 を用いて入力信号の電位を変換する。【効果】 出力回路を構成している絶縁ゲート型トランジスタ12〜23に電源電位VDD2 と接地電位VSSの電位差をゲート電極と基板との間にかけることなく、入力信号振幅より大きい振幅を有する出力信号を出力することができる。
請求項（抜粋）：
第1の電位と該第1の電位より低い第2の電位との間の電位で振幅する入力信号と、該入力信号の反転論理とを入力し、かつ前記第1の電位よりも高い第3の電位に接続され、前記入力信号と前記反転論理とに応じて、前記第3の電位と前記第2の電位より高い第4の電位との間で振幅する信号を出力する、複数の絶縁ゲート型トランジスタで構成された入力信号電位変換回路を備え、前記複数の絶縁ゲート型トランジスタの各々の基板と制御電極間にかかる電圧は前記第2の電位と前記第3の電位との電位差よりも小さく設定され、前記入力信号電位変換回路の出力信号を制御電極に入力し、前記第3の電位に一方電流電極を接続し、他方電流電極を出力端子に接続し、基板電位を前記第3の電位とした第1導電型の第1の絶縁ゲート型トランジスタをさらに備える、半導体集積回路装置の出力回路。
IPC (4件)：
H03K 17/687
, H03K 17/06
, H03K 19/0185
, H03K 19/0175
H03K 17/687 F
, H03K 19/00 101 D
, H03K 19/00 101 F
