特許
J-GLOBAL ID:200903045990254680

ガスセンサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 塩入 明 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-160401
公開番号(公開出願番号):特開平6-347432
出願日: 1993年06月04日
公開日(公表日): 1994年12月22日
要約:
【要約】【目的】 安定で抵抗値のドリフトの小さな薄膜RuO2ヒータを用いた、ガスセンサを提供する。【構成】 膜厚0.05〜1μmのRuO2膜4上に、膜厚0.05〜1μmのSiO2,SiO,ZrO2,MgO,AlN,Si3N4またはBNからなる絶縁膜6を積層し、RuO2ヒータ膜4を雰囲気から遮断し、絶縁膜6上に金属酸化物半導体膜10と電極膜8を形成する。
請求項(抜粋):
絶縁基板上に、ヒータ膜と金属酸化物半導体膜と金属酸化物半導体膜に接続した電極膜とを設けたガスセンサにおいて、前記ヒータ膜を厚さ0.1〜0.5μmのRuO2膜とし、ヒータ膜と金属酸化物半導体膜及び電極膜の間に、珪素酸化物,MgO,ZrO2,AlN,Si3N4,BNからなる群の少なくとも一員の物質からなり、膜厚が0.2〜0.5μmの絶縁膜を設けたことを特徴とする、ガスセンサ。

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