特許
J-GLOBAL ID:200903045990833540

圧電素子の製造方法および圧電素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 志賀 富士弥 ,  橋本 剛 ,  小林 博通
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-180192
公開番号(公開出願番号):特開2004-023067
出願日: 2002年06月20日
公開日(公表日): 2004年01月22日
要約:
【課題】微小な半田量を用いるだけで、熱的な負荷をかけずに圧電素子の陽極部と陰極部に対して配線基板を電気的に確実に接続することができる圧電素子の製造方法および圧電素子を提供すること。【解決手段】配線基板40,41,42に形成されているスルーホール内に半田59Aを配置する半田配置ステップと、スルーホール内に配置された半田59Aを局所加熱して半田59Aを溶融することで陽極部16,18と配線基板40,41,42の導体部50,51,52とを電気的に接続し、スルーホール内に配置された半田59Aを局所加熱して半田59Aを溶融することで陰極部20と配線基板40,41,42の導体部50,51,52とを電気的に接続する接続ステップとを含む。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
圧電セラミックプレートと、前記圧電セラミックプレートの一方の面に配置された陽極部と、前記圧電セラミックプレートの他方の面に配置された陰極部とを有し、前記陽極部と前記陰極部に対して配線基板を電気的に接続する圧電素子の製造方法であり、 前記配線基板に形成されているスルーホール内に半田を配置する半田配置ステップと、 前記スルーホール内に配置された前記半田を局所加熱して前記半田を溶融することで前記陽極部と前記配線基板の導体部とを電気的に接続し、前記スルーホール内に配置された前記半田を局所加熱して前記半田を溶融することで前記陰極部と前記配線基板の導体部とを電気的に接続する接続ステップと、 を含むことを特徴とする圧電素子の製造方法。
IPC (3件):
H05K3/34 ,  H01L41/22 ,  H05K1/18
FI (3件):
H05K3/34 505A ,  H05K1/18 J ,  H01L41/22 Z
Fターム (19件):
5E319AA03 ,  5E319AA07 ,  5E319AB05 ,  5E319AC03 ,  5E319BB04 ,  5E319BB05 ,  5E319CC46 ,  5E319GG03 ,  5E319GG11 ,  5E336AA04 ,  5E336AA16 ,  5E336BB02 ,  5E336BB12 ,  5E336CC43 ,  5E336CC60 ,  5E336EE01 ,  5E336GG01 ,  5E336GG06 ,  5E336GG09

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