特許
J-GLOBAL ID：200903045992636121
プラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-323353
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181118
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【構成】 下部電極1に高周波電力を付与したときに発生するウェーハ4の自己バイアス電圧により発生する静電気力と、下部電極1に直流電圧が印加されることにより発生する静電気力とをウェーハ4に作用させて絶縁膜5を介してウェーハ4を下部電極1上に吸着保持しながら、プラズマ処理を行なう。プラズマ処理を行なう際、高周波電源7および直流電源8をスイッチ12・13により同時に投入し、高周波電力および直流電圧を徐々に上昇させる。【効果】 下部電極1、ウェーハ4および絶縁膜3により形成されるコンデンサに流れ込む充電電流を大幅に減少させることができ、突入電流を抑えることができる。これにより、計測回路等の突入電流による損傷を防止するとともに、絶縁膜の電気的な劣化を防止することができる。
請求項（抜粋）：
絶縁膜を介して電極上に載置された被処理物を、その電極に高周波電力が付与されることにより生成されたプラズマにて処理するとともに、プラズマ発生により上記被処理物に生じた自己バイアス電圧にて発生した静電気力および上記電極に直流電圧が印加されることにより発生した静電気力にて上記電極上に吸着保持する一方、電源の投入時に直流電圧を時間の経過とともに上昇させる制御手段を備えていることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H05H 1/46
