特許

J-GLOBAL ID：200903045992758774

磁気センサ

発明者： 菅原 貴彦
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-328845
公開番号（公開出願番号）：特開2001-143227
出願日： 1999年11月18日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 nmオーダーサイズのコンタクトホールを有する磁気センサを提供することを目的とする。【解決手段】 磁気抵抗効果膜3が被着されたグラニュラー構造膜2を挟んで上部電極層4と下部電極層1とを有し、該グラニュラー構造膜2は、絶縁体マトリックス22と、該絶縁体マトリックス22中に分散した直径dの粒状金属21との少なくとも2相からなる構造膜であって、該グラニュラー構造膜2の膜厚tは0<t<dを満足するものであり、該上部電極層4と該下部電極層1が、該磁気抵抗効果膜3と該粒状金属21とを介して導通されている磁気センサとなるように構成する。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果膜が被着されたグラニュラー構造膜を挟んで上部電極層と下部電極層とを有し、該グラニュラー構造膜は、絶縁体マトリックスと、該絶縁体マトリックス中に分散した直径dの粒状金属との少なくとも2相からなる構造膜であって、該グラニュラー構造膜の膜厚tは0<t<dを満足するものであり、該上部電極層と該下部電極層が、該磁気抵抗効果膜と該粒状金属とを介して導通されていることを特徴とする磁気センサ。

IPC (4件)：

G11B 5/39 ,  C23C 14/08 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/32

FI (4件)：

G11B 5/39 ,  C23C 14/08 K ,  H01F 10/32 ,  G01R 33/06 R

Fターム (19件)：

2G017AD54 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  4K029BA64 ,  4K029BC06 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029EA01 ,  5D034BA03 ,  5D034BA08 ,  5D034BA21 ,  5D034CA00 ,  5D034DA07 ,  5E049AC00 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB14 ,  5E049DB18