処理装置及びその製造方法並びに被処理体の処理方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小原肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-162706
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249586
出願日： 1994年06月20日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：

【要約】【目的】半導体ウエハとこれを保持する電極間の接触不良による冷却ムラを抑制し、半導体ウエハ全面を万遍無く均一に冷却し半導体ウエハの面内での温度分布を抑制し、安定したプラズマ処理を施すことができる処理装置を提供する。【構成】本処理装置は、処理室1内に配設された冷却可能な下部電極4上に半導体ウエハ3を載置し、この下部電極4上方の上部電極13との間でプラズマを発生させて半導体ウエハ3にプラズマ処理を施すと共に下部電極4を介して半導体ウエハ3を冷却するように構成され、且つ下部電極4内にその上面の外周縁部及びその内側の複数箇所でそれぞれ開口する第1、第2ガス通路15、16をそれぞれ設けると共にこれら両者にヘリウムを給排する第1、第2ガス給排手段17、18をそれぞれ接続し、これら両者から第1、第2ガス通路15、16及びそれぞれの開口を介して半導体ウエハ3と下部電極4間の細隙にヘリウムガスを供給しながら半導体ウエハ3を冷却するものである。

請求項（抜粋）：

処理室内に配設された冷却可能な第1電極上に被処理体を載置し、この第1電極に対向して配設された第2電極との間でプラズマを発生させ、このプラズマにより上記被処理体にプラズマ処理を施すと共に、上記第1電極を介して上記被処理体を冷却するように構成された処理装置において、上記第1電極内にその上面の外周縁部及びその内側の複数箇所でそれぞれ開口する第1、第2ガス通路を設けると共にこれらの第1、第2ガス通路それぞれに熱伝導性ガスを給排する第1、第2ガス給排手段を接続し、これら両者から上記第1、第2ガス通路及びそれぞれの開口を介して上記被処理体と上記第1電極間の細隙に熱伝導性ガスを供給しながら上記被処理体を冷却することを特徴とする処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/302 F , H01L 21/302 C

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-364725
特開平1-251735
基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-189253 出願人：東京エレクトロン山梨株式会社

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