特許
J-GLOBAL ID：200903046005670166
アクティブマトリックス液晶表示装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-103939
公開番号（公開出願番号）：特開平7-311389
出願日： 1994年05月18日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：
【要約】【目的】反射型のアクティブマトリックス液晶表示装置として、液晶セルの基板および偏光板での光吸収による光量ロスを少なくするとともに、開口率も高くして明るい表示を得ることができ、しかも補償容量の容量値を十分に確保することができるものを提供する。【構成】TFT14を能動素子とする液晶セル10の表面側に1枚の偏光板を配置し、かつ液晶セル10の裏面側基板11の内面に設ける画素電極13を光の反射膜とするとともに、この画素電極13を、TFT14を覆う保護絶縁膜21の上に前記TFT14を覆って設け、さらにゲート絶縁膜16の上に、TFT14のソース電極19sと一体に形成した第1のキャパシタ電極22を設け、裏面側基板11の上に第2のキャパシタ電極23を設けて、これらキャパシタ電極22,23とその間のゲート絶縁膜16とにより補償容量を構成した。
請求項（抜粋）：
反射型のアクティブマトリックス液晶表示装置であって、薄膜トランジスタを能動素子とするアクティブマトリックス型の液晶セルと、この液晶セルの表面側に配置された偏光板とからなり、かつ、前記液晶セルは、裏面側基板の内面に複数の画素電極とこれら各画素電極にそれぞれ対応する複数の薄膜トランジスタとを配設し、表面側基板の内面に対向電極を設けたものであって、前記薄膜トランジスタは、前記裏面側基板の上に形成されたゲート電極と、このゲート電極を覆って前記裏面側基板のほぼ全面に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜の上に前記ゲート電極と対向させて形成された半導体膜と、この半導体膜の両側部に形成されたソース電極およびドレイン電極とからなるとともに、この薄膜トランジスタが、前記裏面側基板のほぼ全面にわたって設けられた保護絶縁膜で覆われており、前記画素電極は、光を反射させる金属膜からなるとともに、前記保護絶縁膜の上に前記薄膜トランジスタを覆って設けられて前記保護絶縁膜に形成したコンタクト孔において前記薄膜トランジスタのソース電極に接続されており、さらに、前記ゲート絶縁膜の上には前記薄膜トランジスタのソース電極と電気的に導通する第1のキャパシタ電極が設けられ、前記裏面側基板の上には前記ゲート絶縁膜をはさんで前記第1のキャパシタ電極と対向する第2のキャパシタ電極が設けられており、これらキャパシタ電極とその間の前記ゲート絶縁膜とにより、非選択期間における画素の保持電圧を補償する補償容量が構成されていることを特徴とするアクティブマトリックス液晶表示装置。
IPC (2件)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/786
