特許
J-GLOBAL ID：200903046013941896

SiO2膜の成膜方法及び該方法により成膜されたSiO2膜を備えた物品

発明者：
山崎 隆史

山崎 隆史 について

, 
谷中 保則

谷中 保則 について

, 
荻野 雅史

荻野 雅史 について


出願人/特許権者：
日本板硝子株式会社

日本板硝子株式会社 について


代理人 (1件)： 松永 孝義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-249090
公開番号（公開出願番号）：特開2004-084033
出願日： 2002年08月28日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】反応性スパッタリング法を利用したSiO2膜の成膜時にターゲットに投入するパワーを大きくしてもターゲット材料の割れ・欠けが発生せず、基板上に長時間高純度かつ欠陥のないSiO2薄膜を成膜し続ける成膜方法及び成膜物品を提供する。【解決手段】SiC焼結材をターゲットとし、アルゴンなどを含有する酸素雰囲気でスパッタリングすることにより基板6上にSiO2薄膜を形成するSiO2膜の成膜方法である。SiC材料の曲げ応力が大きく(Siの約4倍)線膨張係数の差があってもターゲット材料が銅製バッキングプレートの変形を抑制するためSiCターゲット材の反りが抑制され、割れ・欠けの原因が排除されるので、シリコンまたはガラスなどの基板6上に高純度かつ欠陥のないSiO2薄膜(他の金属膜との複層膜を含む)を形成し続けることができる。【効果】成膜レートがSiターゲットの場合よりも早くなる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
反応性スパッタリング法を利用したSiO2膜の成膜方法において、SiC焼結材をターゲットとして利用し、酸素雰囲気でスパッタリングすることにより基板上にSiO2薄膜を形成することを特徴とするSiO2膜の成膜方法。
IPC (3件)：
C23C14/34 ,  G02B1/11 ,  G02B5/28
FI (3件)：
C23C14/34 N ,  G02B5/28 ,  G02B1/10 A
Fターム (19件)：
2H048GA04 ,  2H048GA27 ,  2H048GA33 ,  2H048GA60 ,  2K009AA02 ,  2K009BB02 ,  2K009CC03 ,  2K009DD04 ,  4K029BA43 ,  4K029BA46 ,  4K029BB02 ,  4K029BC00 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029DC01 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM