特許
J-GLOBAL ID：200903046021292317
光制御素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-241589
公開番号（公開出願番号）：特開平5-080281
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】 基板のエッチング速度を増加させ、かつ、マスク材料とのエッチング速度差を大きくした製造方法により、特性のよい光制御素子を効率的に提供することにある。【構成】 LiNbO3 基板301上に光導波路302が形成されたものの上に、Ti膜303を全面に形成し、フォトプロセスにより掘り込み部分が溝になったレジストパターン304をTi膜上に形成する。レジストパターンをマスクとしてこのTi膜をエッチングし、フォトレジストを溶解することによってレジストパターンと同形のTiパターン305を得る。これを安息香酸306の中に浸し、加熱してから放置することにより、露出された部分をプロトン交換する。これをエッチングし、Ti膜を溶解することにより突起部分309を有する光制御素子を形成する。
請求項（抜粋）：
電気光学効果を有する基板上に少なくとも一本の光導波路を形成する第1の工程,前記基板の前記少なくとも一本の光導波路の周辺部分を掘り下げて前記少なくとも一本の光導波路を前記基板表面より突出させる第2の工程,前記少なくとも一本の光導波路および前記基板の全面にバッファ層を形成する第3の工程および前記バッファ層上に進行波電極を形成する第4の工程を有する光制御素子の製造方法において、前記第2の工程中に、前記少なくとも一本の光導波路の周辺部分を掘り下げるに先立って、掘り下げられるべき基板部分をエッチング速度を増加するように化学的に変質させる工程を有し、しかる後にエッチングによって前記掘り下げを行うことを特徴とする光制御素子の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
