特許

J-GLOBAL ID：200903046022247846

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 中嶋 英晴
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-280412
公開番号（公開出願番号）：特開平5-095119
出願日： 1991年10月01日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：

【要約】【目的】浮遊ゲートへのホットキャリアの注入効率を高め、書き込み特性を向上させて、微細化、低電圧化を可能にする。【構成】多結晶Si膜24とこの多結晶Si膜24の膜厚よりも高い側壁になっている多結晶Si膜26とで、積層ゲート構造のEPROMの浮遊ゲートを構成している。このため、浮遊ゲートが多結晶Si膜24のみから成る構造に比べて、記憶セルの平面的な面積が同じでも浮遊ゲートと制御ゲートとの対向面積が広い。従って、浮遊ゲートと制御ゲートとの結合容量を浮遊ゲートとチャネルとの間の容量よりも十分に大きくして、浮遊ゲートの電位を制御ゲートの電位に近づけることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面とは垂直な方向の凹凸部が浮遊ゲートに設けられている不揮発性半導体記憶装置。

IPC (2件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-034578
  
• 特開平1-133372
  
• 特開平4-364786